鉅永真空科技股份有限公司
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  產品Q&A

一 :  此型濺鍍機可否採用圓筒型target與cathode,cathode的製造商有哪幾家可選擇,靶材
  尺寸是多少?
答 :  可以採用圓筒型,有3家可以選擇,靶材尺寸為O.D16.6mmm*I.D13.3mm*700mm,
  而使用RF Power(MgF2)的磁控源,不能使用圓筒型需採用平面型。
二 :  Cr/Mo Process chamber內cathode增為3個,ZnO/AZO/MgF2 chamber維持在3個,
  但ZnO/AZO/MgF2chamber內MgF2鍍膜與AZO是否有汙染問題?
答 :  可以使用隔絕板或buffer區設計來防止污染。
三 :  貴公司的MgF2鍍膜採用何種方式?
答 :  使用RF Power方式。
四 :  鍍膜驗收Uniformity 可否達到≦3%?
答 :  可以的,不過要求小於3%會和靶材的製作有關,例如密度,金屬的平均晶粒粒徑大小,
  陶瓷靶的粉徑大小等
五 :  黃銅、,磷青銅、,spcc適合真空溫度為何?超過或不及這個溫度時會有何影響?
答 :  (1) 一般金屬成膜溫度為150-180度。不過還是要以產品的製程需求來做決定。
  (2) 電性、附著性、薄膜應力、結構性缺陷的影響。一般功能性鍍膜注著重的為電性和附著性
  如果有要做蝕刻才要注著後者。
六 :  蒸鍍、濺鍍、ARC三種方法我要選用其中一種,其依據為何?比方說我要用ARC,
  那這個製程的優勢為何?是不是根據附著力、成膜速率,成本等等來考量?
答 :  ARC一般都是鍍製硬化性厚膜才會使用,若只要鍍金屬薄膜使用蒸鍍和濺鍍就可以了。
  至於要使用那一種製程可以先依你要鍍的薄膜種類(功能性薄膜、硬化膜、光學薄膜、
  透明導電薄膜、裝飾鍍膜、金屬鍍膜或其它)、製程需求、產品的特性種類(玻璃、塑膠基材、
  平板、曲面)、薄膜品質要求、產能、成本來決定。
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